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DRAM大厂力晶自结9月营收新台币75.19亿元，较上月88.88亿元减少15%，累计前9月营收为675亿元;力晶发言人谭仲民表示，9月营收下滑主要是受到DRAM现货价疲软的影响，随著12寸晶圆厂代工业务的需求和报价回稳，标准型DRAM制程技术也逐渐转进尔必达63纳米制程，未来成本可望进一步下降。 受到DRAM现货价和合约价大幅下修的影响，DRAM厂9月营收除了华亚科受惠50纳米制程大量转换成功之赐，而逆势成长之外，其它各厂营收都呈现下滑趋势，包括力晶、瑞晶、南亚科、茂德等9月营收都难逃衰退命运
存储芯片市场调查与研究公司inSpectrum表示，尽管下滑趋势依旧，但内存和闪存芯片价格有望在中国十一长假后迎来小幅回升。 来自交易市场的消息称，在十一长假结束前市场对DRAM内存和NAND闪存芯片的需求已然浮现回升迹象。很多厂商称十一长假带来的市场需求已经耗掉其大部分存货，下周将进行新一轮的存货补充。 不过inSpectrum也认为，由于零售渠道的根本需求依旧很弱，所以这种价格反弹只能是短期行为，不会持续太长。而且一些厂商继续在其零售渠道降低eTT芯片价格，这也影响了整个内存芯片市场的价格走
个人计算机(PC)需求不振连累DRAM价格重挫，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄坦承将下修公司获利目标，同时在台湾转投资瑞晶R2厂的扩产计划也将踩刹车。2010年在3、4月DRAM大缺货之际，尔必达内部规划广邀PC客户入股来协助瑞晶扩产，届时将依照投资比重来分配DRAM货源，但传出DRAM价格后，PC客户早已溜之大吉，瑞晶的扩产计划只好喊卡，然尔必达广岛厂的扩产进度仍将如期进行。 坂本幸雄表示，PC市场在传统旺季的需求未如预期，将连累尔必达的财报获利受一定的影响，但DRAM价格其实下修幅度已大
全球NAND Flash产业在高容量32Gb和64Gb芯片产能持续开出下，9月下旬合约价续跌，其中，32Gb芯片合约价下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模块厂表示，NAND Flash芯片价格已跌到相当接近各大厂成本线，若价格再跌，恐会让NAND Flash厂产生亏损，接下来要看大陆十一长假后出没出现补货需求，带动NAND Flash价格止跌。 模块厂表示，近期NAND Flash产品需求比DRAM模块好一些，DRAM买气受限于现货价跌幅较深，通路商补货意愿不高，但在NAND Flas
市场研究机构The InformatiON Network总裁RobertCastellano表示，半导体产业环境正在恶化，而且领先指标显示该市场即将发生库存修正;他指出，虽然2010年将会是半导体产业经历大幅反弹成长的一年，但好日子恐怕不多了。 Castellano预测，终端电子科技类产品销售将出现下滑，首当而冲的就是DRAM领域;该市场在今年第二季还曾出现过135%的销售成长;此外他也预言，PC销售业绩趋缓，将会对英特尔(Intel)、AMD等微处理器供应商造成负面影响，连带让晶圆代工业者也受到冲
据国外媒体报道，三星今天发布了第三季度财报。财报显示，三星营业利润为4.8万亿韩元(约合43亿美元)，低于分析师预期。 三星今天发表声明称，该公司第三季度营业利润由去年同期的4.22万亿韩元(约合37.6亿美元)增长14%至4.8万亿韩元，低于分析师预期的5.03万亿韩元。三星营收增长11%至40万亿韩元(约合356亿美元)。 分析师指出，电视销售放缓打压了液晶面板的价格，影响了三星液晶面板和电视业务的利润。摩根大通分析师贾斯廷帕克(Justin Park)说，由于预计第四
这个测试仪的基础是一个皮尔兹CMOS缓冲振荡器（图一）。这种振荡器采用单一CMOS逆变偏频在其线 以形成一个高增益反相放大器。由于这个高增益，这个逆变器比一个非缓冲门消耗的功率低，甚至是很小的信
据HKEPC网站报道，市调机构DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM颗粒合约价持续下调， DDR3 1Gb颗粒均价趺破2美元关口， DDR3 2GB模块合约价亦由36美元下调至34美元，跌幅约为5.5% ，而低位更曾经下试33美元新低水平，第三季度DDR3模块合约价下跌约2.3% ，创下至去年年中减产后单季最大跌幅，不仅DDR3内存DDR2合约价亦紧贴DDR3合约价下跌， DDR2 2GB模块合约均价约为33美元水平，跌幅约为6% 。 现货市场方面，由于广州亚运将于11月举办，大陆方
据国外媒体报道，研究机构iSuppli已经降低了对2010年半导体销售额的预测，但是它仍预期年底的利润将达到前所未有的3020亿美元。最新的预测显示利润上升了32%，比先前预测的35.1%有所下降。这主要是由于对四季度销售额预期的降低。 据该机构表示说，今年的利润有望比去年同期增长740亿美元，比2007年高280亿美元。根据该公司的预测这将是半导体市场达到巅峰的一年。 产品利润预期会增长43%，DRAM将会在PC市场有一个87%的强劲增长。同时，由于智能手机不断增长的需求，无线通信市场将
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源，工作电压为5～10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性，对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿，设计了一种输出电压为1．3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25～+120℃范围的温度系数为7．427pp-m／℃，在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0．022 mm2，适用于低压差线性稳压嚣等领域。
据《日本经济新闻》周三报道，尔必达计划在今年12月开始量产40纳米以下的DRAM芯片，此举预计可节省生产成本约30%。尔必达即将量产的DRAM芯片线纳米，比三星电子的最新制程更小。至目前为止，三星仍是全球首家跨入40纳米制程以下的公司。 报道称呢个，尔必达已开发出的“双重曝光 (double-patterning)”新技术，能用现有的设备来达成更精细制程，而无需进行大规模的资本投资。 尔必达位于日本广岛的工厂，将于12月率先量产新DRAM芯片;瑞晶电子
CMOS成像技术的领先创新者ApTIna今日推出其高性能、功能丰富、APS-C格式的1600万像素的图像传感器。特别的设计令该产品可实现专业摄影师所要求的高画质，除了以10帧/秒的速度捕捉1600万像素的静态图像以外，新的MT9H004传感器亦具备较高的灵敏度、较小的暗电流和较低的读出噪声。凭借该公司最新的动态响应(DR)像素技术创新(称为Aptina DR-Pix技术)，新的APS-C格式成像解决方案在低亮度条件下可增加5分贝的信噪比(SNR)，而无需牺牲高亮度环境中的表现。高亮度下的最大信噪比可达
甲骨文通过美国子公司在加州北区法院起诉美光科技，指控其涉嫌操纵内存芯片价格，使Sun微系统付出了更高的代价。 甲骨文指控美光与其他内存制造商勾结，人为抬高DRAM(动态随机存储)芯片价格。诉讼书称，在1998年至2002年间，Sun采购了总价超过20亿美元的DRAM芯片。 诉讼书还称，美国司法部指控了世界顶尖的5家DRAM制造商，其中四家今年都已认罪并认罚，但美光科技因与司法部合作而得到赦免。甲骨文在2010年以约70亿美元价格收购了Sun。 韩国芯片制造商海力士半导体的代理律师迈克
报道称Elpida计划投资30亿新台币(约合9550万美元)在台湾设立研发中心。 报道引述政府官员的话称Elpida已经向台湾“经济部”申请了财政补助来建立该中心。 Elpida已向Powerchip、ProMOS和Winbond许可了其DRAM工艺技术，已换取台湾合作伙伴的产能。
市场研究机构The Information Network总裁Robert Castellano表示，半导体产业环境正在恶化，而且领先指标显示该市场即将发生库存修正;他指出，虽然2010年将会是半导体产业经历大幅反弹成长的一年，但好日子恐怕不多了。 Castellano预测，终端电子产品营销售卖将出现下滑，首当而冲的就是DRAM领域;该市场在今年第二季还曾出现过135%的销售成长;此外他也预言，PC销售业绩趋缓，将会对英特尔(Intel)、AMD等微处理器供应商造成负面影响，连带让晶圆代工业者也受到